Wafer bonding

Oferujemy łączenie podłoży wytworzonych z różnych materiałów, w tym z materiałów półprzewodnikowych (krzemu i in.) i dielektryków (szkło, ceramika i in.), do zastosowania w mikroelektronice, nanoelektronice, fotonice oraz mikrosystemach.

  • Przystosowane do pracy z podłożami okrągłymi od 100mm do 200mm (100mm/4”, 150mm/6”, 200mm/8”) oraz fragmentami nie mniejszymi niż 10mm x 10mm
  • Możliwość łączenia (bonding) próbek następującymi technikami:
  • Łączenia adhezyjnego (klej)
  • Łączenia eutektycznego (termokompresja)
  • Łączenia anodowego
  • Łączenia przy użyciu szkliwa (glass frit)
  • Łączenia bezpośredniego (direct bonding)
  • Komora płukana gazem obojętnym
  • Zakres kontroli temperatury od 50°C do 500°C z dokładnością ±3°C, stabilnością ±1,0°C i jednorodnością na poziomie ±2%
  • Siła nacisku do 20kN, z programową regulacją
  • Maksymalna próżnia 5×10-5mbar (sterowanie ciśnieniem w komorze procesowej poprzez dozowanie gazu procesowego – N2, w zakresie od 1 do 1000mbar)
  • Możliwość centrowania podłoży z wykorzystaniem urządzenia do centrowania wzorów/masek

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: technologia_3@cezamat.eu.

Skip to content