mgr inż. Bartłomiej Stonio

Asystent badawczy

Biografia

Absolwent Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych PW (mgr inż. 2014) oraz Wydziału GEodezjii i Kartografii (inż. 2017) Związany z projektem CEZAMAT od 2014 roku w zakresie instalacji, uruchamiana aparatury badawczej. W roku 2014 odbył 6- meisieczny staż w osrodku badawczym IMIEC w Belgii, gdze zajmował się opracowaniem procesów czyszczenia powierzchni, mokrego trawienia. Obecnie zajmuje się procesami wysokotemperaturowymi, miedzy innymi Termicze utlenianie, wygrzewanie, Procesy LPCVD ( ang. Low Pressure Chemical Vapor Deposition) oraz RTP ( ang. Rapid Thermal Processing)

Obszar badań

  • procesy wysokotemperaturowe, procesy RTP ( ang. Rapid Thermal Processing), procesy LPCVD ( ang. Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
  • wytwarzanie cienkich tlenków oraz azotków, wygrzewanie wysokotemperaturowe
  • technologia na bazie węglika krzemu
  • materiały 2D z rodziny dichalkogenki metali przejściowych

Wybrane publikacje

  1. B. Stonio, N. Kwietniewski, P. Firek, M. Sochacki, “Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl 3 plasma”, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097
  2. D. Nowak, M. Clapa, P. Kula, M.Sochacki, B. Stonio, M. Galazka,M. Pelka,D. Kuten,P. Niedzielski, “Influence of the Interactions at the Graphene–Substrate Boundary on Graphene Sensitivity to UV Irradiation” Materials, 2019, vol. 12, nr 23, s.1-9, Numer artykułu:3949. DOI:10.3390/ma122333949
  3. P. Firek, B.Stonio, “ Influence of AlN etching process on MISFET structures”Microelectronics International, 2019, vol. 36, nr 3, s.109-113. DOI:10.1108/MI-12-2018-0081
  4. P. Sai, D.B. But, I. Yahniuk, M. Grabowski, M. Sakowicz, P. Kruszewski, P. Prystawko, A. Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, J. Przybytek, P. Wiśniewski, B. Stonio, M. Słowikowski, S.L. Rumyantsev, W. Knap, G. Cywiński, “AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range”, Semiconductor Science and Technology, 2019, vol. 34, nr 2, s.1-6, Numer artykułu:024002. DOI:10.1088/1361-6641/aaf4a7
Skip to content